FLASH MCU芯片CSU8RF2111高性能(néng)的RISC CPU

8位單片機MCU

内置1K×16位程序存儲器FLASH

96字節數據存儲器（SRAM）

56字節的E2PROM，用于數據存儲

隻有43條單字指令

4級存儲堆棧

支持在線燒錄

FLASH MCU芯片CSU8RF2111專用微控制器的特性

上電複位（POR）

上電複位和硬件複位延遲定時(shí)器（40ms）

定時(shí)器0 — 8位可編程預分頻的8位的定時(shí)計數器

定時(shí)/計數器1 — 8位可編程預分頻的8位的分頻器

擴展型看門狗定時(shí)器（32K WDT）

可編程的時(shí)間範圍

FLASH MCU芯片CSU8RF2111外設特性

5位雙向(xiàng)I/O口,1位輸入口

1路蜂鳴器輸出

1路PWM輸出

2個内部中斷，1個外部中斷

5個具有喚醒功能(néng)的輸入口

低電壓檢測（LVD）引腳，内部提供2.4V、3.6V電壓比較

1個開(kāi)漏輸出口

低功耗特性

MCU工作電流

正常模式1mA@4MHz(工作電壓3V)

正常模式10uA@32KHz(工作電壓3V)

休眠模式下的電流小于1μA

振蕩器

内帶16MHz振蕩器

外部32768Hz晶振（RTC）或4MHz~16MHz晶振

CMOS技術

電壓工作範圍

VDD 2.3V~5.5V

FLASH MCU芯片CSU8RF2111特點

FLASH MCU芯片CSU8RF2111是一個8位RISC架構的高性能(néng)、高可靠性單片機，可在2.3V-5.5V的電壓範圍内完成(chéng)各項控制工作。該款芯片外圍配置簡單，并且自帶EEPROM，方便數據的存儲和電路的設計。

應用場合

電子禮品

消費電子

家電